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2021年宁波大学硕士研究生招生考试复试科目
考试大纲
科目代码、名称:集成电路工艺原理
一、考试形式与试卷结构
（一）试卷满分值及考试时间
本试卷满分为100分，考试时间为120分钟。
（二）答题方式
答题方式为闭卷、笔试。试卷由试题和答题纸组成；答案必须写在答题纸（由考点提供）相应的位置上。
（三）题型结构
简答题和综合题。
二、考试科目简介
集成电路工艺原理课程是微电子学、电子科学与技术和其他相关专业的理论基础课。作为微电子科学专业的硕士研究生，要求对于集成电路工艺中涉及的基本概念及原理有比较深入的了解和掌握。以当代超大规模集成电路的小尺寸特征为切入点，围绕抑制小尺寸效应的现代工艺技术，展开介绍了目前较为成熟的集成电路制造工艺技术，重点考试核心工序及关键制造工艺过程的基本原理，其中包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺以及工艺集成等内容。
三、考试内容及具体要求
（一）熟练掌握集成电路制造技术的发展历程，集成电路制造技术特点，其中包括：集成电路的分类及其特点，摩尔定律，制备技术要求和面临的挑战与发展机遇。
（二）熟练掌握集成电路制造工艺过程中材料的特性与制备，其中包括：硅晶体的结构特点，硅晶体中的杂质和缺陷，多晶硅的制备与纯化，单晶硅的生长与切片。
（三）熟练掌握薄膜淀积的基本原理，其中包括：外延技术（气相外延、分子束外延、液相外延，外延缺陷与外延层检测），化学气相淀积（CVD工艺原理、工艺方法，CVD生长二氧化硅、氮化硅以及多晶硅薄膜），物理气相淀积（真空系统、真空蒸镀、溅射原理、等离子体）。
（四）熟练掌握热氧化的基本原理，其中包括：硅的热氧化，初始氧化阶段及薄氧化层制备，热氧化过程中杂质的再分布，氧化层质量及检测。
（五）熟练扩散和离子注入等掺杂技术的基本原理，其中包括：晶体中热扩散的基本特点与宏观动力学方程，杂质的扩散掺杂，影响杂质分布的因素。离子注入的原理，注入离子在靶中的分布，注入损伤，离子注入设备与工艺，掺杂新技术。
（六）熟练掌握光刻工艺和光刻技术的基本原理，其中包括：光刻工艺基本流程，光刻胶，正性与负性光刻，对准与曝光技术，显影，光刻设备，光学分辨率增强技术，光刻掩模版，熟悉光刻技术中的常见问题。
（七）熟练掌握刻蚀技术的基本原理，其中包括：湿法刻蚀和干法刻蚀，刻蚀工艺要求，刻蚀应用举例，刻蚀技术新进展。
（八）熟练掌握金属化与互连的基本原理，其中包括：硅-金属的接触，钨填充塞，Cu金属互连，CMP工艺和多层互连等。
（九）了解工艺集成与监控、封装与测试的基本原理：CMOS集成电路工艺，双极型集成电路工艺，工艺实时监控与检测，集成结构测试图形、芯片封装技术，集成电路测试技术。
四、参考教材或主要参考书
1.《现代集成电路制造工艺原理》李惠军等编，山东大学出版社，2006年；
2.《集成电路制造技术-原理与工艺》王蔚等编，电子工业出版社，2013年。
原文标题：宁波大学2021年硕士研究生自命题科目考试大纲及参考书目
原文链接：http://graduate.nbu.edu.cn/2019/zs-content.jspurltype=news.NewsContentUrl&wbtreeid=1081&wbnewsid=15453
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